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售卖终止装备

售卖终止装备

ArF液浸式扫描光刻机

NSR-S631E

区分率 ≦ 38 nm
NA 1.35
曝光光源 ArF excimer laser (193 nm wavelength)
缩小倍率 1:4
最大曝光规模 26 mm × 33 mm
重合精度 SMO※1: ≦ 1.7 nm, MMO※2: ≦ 2.3 nm
产出 ≧ 250 wafers/hour (96 shots),
≧ 270 wafers/hour (96 shots, optional)

※1 Single Machine Overlay：统一台装备之间的套刻精度（例 NSR-S631E#1 to S631E#1）
※2 Mix and Match Overlay：差别装备之间的套刻精度（例 NSR-S631E#1 to S631E#2）

NSR-S630D

区分率 ≦ 38 nm
NA 1.35
曝光光源 ArF excimer laser (193 nm wavelength)
缩小倍率 1:4
最大曝光规模 26 mm × 33 mm
重合精度 SMO※1: ≦ 1.7 nm, MMO※2: ≦ 2.5 nm
产出 ≧ 250 wafers/hour (96 shots)

※1 Single Machine Overlay：统一台装备之间的套刻精度（例 NSR-S630D#1 to S630D#1）
※2 Mix and Match Overlay：差别装备之间的套刻精度（例 NSR-S630D#1 to S630D#2）

NSR-S622D

区分率 ≦ 38 nm
NA 1.35
曝光光源 ArF excimer laser (193 nm wavelength)
缩小倍率 1:4
最大曝光规模 26 mm × 33 mm
重合精度 SMO※1: ≦ 2 nm, MMO※2: ≦ 3.5 nm
产出 ≧ 200 wafers/hour (125 shots)

※1 Single Machine Overlay：统一台装备之间的套刻精度（例 NSR-S622D#1 to S622D#1）
※2 Mix and Match Overlay：差别装备之间的套刻精度（例 NSR-S622D#1 to S622D#2）

NSR-S621D

区分率 ≦ 38 nm
NA 1.35
曝光光源 ArF excimer laser (193 nm wavelength)
缩小倍率 1:4
最大曝光规模 26 mm × 33 mm
重合精度 ≦ 2 nm
产出 ≧ 200 wafers/hour (125 shots)

NSR-S620D

区分率 ≦ 38 nm
NA 1.35
曝光光源 ArF excimer laser (193 nm wavelength)
缩小倍率 1:4
最大曝光规模 26 × 33 mm
重合精度 ≦ 3 nm
产出 ≧ 180 wafers/hour (300 mm wafer, 125 shots)

NSR-S610C

区分率 ≦ 45 nm
NA 1.30
曝光光源 ArF excimer laser (193 nm wavelength)
缩小倍率 1:4
最大曝光规模 26 × 33 mm
重合精度 ≦ 6.5 nm
产出 ≧ 130 wafers/hour (300 mm wafer, 76 shots)

NSR-S609B

区分率 ≦ 55 nm
NA 1.07
曝光光源 ArF excimer laser (193 nm wavelength)
缩小倍率 1:4
最大曝光规模 26 × 33 mm
重合精度 ≦ 7 nm
产出 ≧ 130 wafers/hour (300 mm wafer, 76 shots)

ArF扫描光刻机

NSR-S320F

区分率 ≦ 65 nm
NA 0.92
曝光光源 ArF excimer laser (193 nm wavelength)
缩小倍率 1:4
最大曝光规模 26 mm × 33 mm
重合精度 ≦ 3 nm
产出 ≧ 200 wafers/hour (125 shots)

NSR-S310F

区分率 ≦ 65 nm
NA 0.92
曝光光源 ArF excimer laser (193 nm wavelength)
缩小倍率 1:4
最大曝光规模 26 mm × 33 mm
重合精度 ≦ 7 nm
产出 ≧ 174 wafers/hour (76 shots)

NSR-S308F

区分率 ≦ 65 nm
NA 0.92
曝光光源 ArF excimer laser (193 nm wavelength)
缩小倍率 1:4
最大曝光规模 26 × 33 mm
重合精度 ≦ 8 nm

NSR-S307E

区分率 ≦ 80 nm
NA 0.85
曝光光源 ArF excimer laser (193 nm wavelength)
缩小倍率 1:4
最大曝光规模 26 × 33 mm
重合精度 ≦ 12 nm

NSR-S306C

区分率 ≦ 100 nm
NA 0.78
曝光光源 ArF excimer laser (193 nm wavelength)
缩小倍率 1:4
最大曝光规模 25 × 33 mm
重合精度（EGA, |M| + 3σ） ≦ 20 nm

NSR-S305B

区分率 ≦ 110 nm
NA 0.68
曝光光源 ArF excimer laser (193 nm wavelength)
缩小倍率 1:4
最大曝光规模 25 × 33 mm
重合精度（EGA, |M| + 3σ） ≦ 30 nm

KrF扫描式/步进式光刻机

NSR-S210D

区分率 ≦ 110 nm
NA 0.82
曝光光源 KrF excimer laser (248 nm wavelength)
缩小倍率 1:4
最大曝光规模 26 mm × 33 mm
重合精度 ≦ 9 nm
产出 ≧ 176 wafers/hour (76 shots)

NSR-S208D

区分率 ≦ 110 nm
NA 0.82
曝光光源 KrF excimer laser (248 nm wavelength)
缩小倍率 1:4
最大曝光规模 26 × 33 mm
重合精度 ≦ 10 nm
产出 ≧ 147 wafers/hour (300 mm wafer, 76 shots)

NSR-S207D

区分率 ≦ 110 nm
NA 0.82
曝光光源 KrF excimer laser (248 nm wavelength)
缩小倍率 1:4
最大曝光规模 26 × 33 mm
重合精度 ≦ 10 nm

NSR-SF200

区分率 ≦ 150 nm
NA 0.63
曝光光源 KrF excimer laser (248 nm wavelength)
缩小倍率 1:4
最大曝光规模 26 × 33 mm
重合精度 ≦ 28 nm
产出 ≧ 110 wafers/hour (300 mm wafer)
≧ 120 wafers/hour (200 mm wafer)

NSR-S206D

区分率 ≦ 110 nm
NA 0.82
曝光光源 KrF excimer laser (248 nm wavelength)
缩小倍率 1:4
最大曝光规模 25 × 33 mm
重合精度 ≦ 20 nm

NSR-S205C

区分率 ≦ 130 nm
NA 0.75
曝光光源 KrF excimer laser (248 nm wavelength)
缩小倍率 1:4
最大曝光规模 25 × 33 mm
重合精度（EGA, |M| + 3σ） ≦ 30 nm

NSR-S204B

区分率 ≦ 150 nm
NA 0.68
曝光光源 KrF excimer laser (248 nm wavelength)
缩小倍率 1:4
最大曝光规模 25 × 33 mm
重合精度（EGA, |M| + 3σ） ≦ 35 nm

NSR-S203B

区分率 ≦ 180 nm
NA 0.68
曝光光源 KrF excimer laser (248 nm wavelength)
缩小倍率 1:4
最大曝光规模 25 × 33 mm
重合精度（EGA, |M| + 3σ） ≦ 40 nm

NSR-S202A

区分率 ≦ 250 nm
NA 0.60
曝光光源 KrF excimer laser (248 nm wavelength)
缩小倍率 1:4
最大曝光规模 25 × 33 mm
重合精度（EGA, |M| + 3σ） ≦ 45 nm

NSR-2205EX14C

区分率 ≦ 250 nm
NA 0.60
曝光光源 KrF excimer laser (248 nm wavelength)
缩小倍率 1:5
最大曝光规模 22 mm square to 17.9 (H) × 25.2 (V) mm
重合精度（EGA, |M| + 3σ） ≦ 50 nm
自动瞄准系统 LSA (standard), FIA (standard), LIA (optional)

NSR-2205EX12B

区分率 ≦ 280 nm
NA 0.55
曝光光源 KrF excimer laser (248 nm wavelength)
缩小倍率 1:5
最大曝光规模 22 mm square to 17.9 (H) × 25.2 (V) mm
重合精度（EGA, |M| + 3σ） ≦ 55 nm
自动瞄准系统 LSA (standard), FIA (standard), LIA (optional)

NSR-S201A

区分率 ≦ 250 nm
NA 0.60
曝光光源 KrF excimer laser (248 nm wavelength)
缩小倍率 1:4
最大曝光规模 25 × 33 mm
重合精度（EGA, |M| + 3σ） ≦ 50 nm

NSR-2205EX10B

区分率 ≦ 320 nm
曝光光源 KrF excimer laser (248 nm wavelength)
缩小倍率 1:5
最大曝光规模 22 mm square to 17.9 (H) × 25.2 (V) mm
重合精度（EGA, |M| + 3σ） ≦ 80 nm

I线步进式光刻机

NSR-2205i14E2

区分率 ≦ 350 nm
NA 0.63
曝光光源 i-line (365 nm wavelength)
缩小倍率 1:5
最大曝光规模 22 mm square to 17.9 (H) × 25.2 (V) mm
重合精度 ≦ 40 nm
产出 ≧ 103 wafers/hour (200 mm wafer)

NSR-SF150

区分率 ≦ 280 nm
NA 0.62
曝光光源 i-line (365 nm wavelength)
缩小倍率 1:4
最大曝光规模 26 × 33 mm
重合精度 ≦ 25 nm
产出 ≧ 180 wafers/hour (300 mm wafer, 76 shots)

NSR-SF140

区分率 ≦ 280 nm
NA 0.62
曝光光源 i-line (365 nm wavelength)
缩小倍率 1:4
最大曝光规模 26 × 33 mm
重合精度 ≦ 35 nm
产出 ≧ 117 wafers/hour (300 mm wafer, 76 shots)

NSR-SF130

区分率 ≦ 280 nm
NA 0.62
曝光光源 i-line (365 nm wavelength)
缩小倍率 1:4
最大曝光规模 26 × 33 mm
重合精度 ≦ 35 nm
产出 ≧ 120 wafers/hour (300 mm wafer)
≧ 120 wafers/hour (200 mm wafer)

NSR-SF120

区分率 ≦ 280 nm
NA 0.62
曝光光源 i-line (365 nm wavelength)
缩小倍率 1:4
最大曝光规模 25 × 33 mm
重合精度 ≦ 35 nm
产出 ≧ 100 wafers/hour (300 mm wafer)
≧ 120 wafers/hour (200 mm wafer)

NSR-SF100

区分率 ≦ 400 nm
NA 0.52
曝光光源 i-line (365 nm wavelength)
缩小倍率 1:4
最大曝光规模 25 × 33 mm
重合精度 ≦ 45 nm
产出 ≧ 80 wafers/hour (300 mm wafer)
≧ 120 wafers/hour (200 mm wafer)

NSR-2205i12D

区分率 ≦ 350 nm
NA 0.63
曝光光源 i-line (365 nm wavelength)
缩小倍率 1:5
最大曝光规模 22 mm square to 17.9 (H) × 25.2 (V) mm (6-inch reticle), 20.0 × 20.4 mm (5-inch reticle)
重合精度（EGA, |M| + 3σ） ≦ 55 nm

NSR-TFHi12

区分率 ≦ 500 nm
NA 0.30 ~ 0.45 (variable)
曝光光源 i-line (365 nm wavelength)
缩小倍率 1:5
最大曝光规模 22 mm square to 17.9 (H) × 25.2 (V) mm
重合精度（EGA, |M| + 3σ） ≦ 55 nm

NSR-2205i14E

区分率 ≦ 350 nm
NA 0.63
曝光光源 i-line (365 nm wavelength)
缩小倍率 1:5
最大曝光规模 22 mm square to 17.9 (H) × 25.2 (V) mm
重合精度（EGA, |M| + 3σ） ≦ 50 nm
自动瞄准系统 LSA (standard), FIA (standard), LIA (optional)

NSR-4425i

区分率 ≦ 700 nm
曝光光源 i-line (365 nm wavelength)
缩小倍率 1:2.5
最大曝光规模 44 mm square
重合精度（EGA, |M| + 3σ） ≦ 100 nm

NSR-2205i11D

区分率 ≦ 350 nm
NA 0.63
曝光光源 i-line (365 nm wavelength)
缩小倍率 1:5
最大曝光规模 22 mm square to 17.9 (H) × 25.2 (V) mm
重合精度（EGA, |M| + 3σ） ≦ 70 nm
自动瞄准系统 LSA (standard), FIA (optional), LIA (optional)

检测?检查装置

自动宏观检测装置 AMI-5600/3500/3000 MarkⅡ

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